基于三值文字运算的碳纳米场效应晶体管SRAM设计

作     者：康耀鹏 汪鹏君 李刚 张跃军 Kang Yaopeng;Wang Pengjun;Li Gang;Zhang Yuejun

作者机构：宁波大学电路与系统研究所浙江宁波315211 

基　　金：国家自然科学基金(61474068 61404076 61234002) 浙江省公益性技术应用研究计划项目(2016C31078) 

出 版 物：《电子技术应用》 (Application of Electronic Technique)

年 卷 期：2018年第44卷第3期

页      码：7-10页

摘      要：通过对文字运算电路和三值存储器原理的分析,结合碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)的特性,提出一种基于三值文字电路的碳纳米场效应晶体管SRAM设计方案。该方案首先利用三值文字运算真值表和开关信号理论设计文字运算电路;然后采用文字0、文字1和文字2非运算电路实现三值SRAM的功能,利用传输门控制反馈回路降低三值写操作的动态功耗;最后实验验证,所设计的电路逻辑功能正确且与传统交叉耦合SRAM相比写速度提高49.2%。

主 题 词：多值逻辑 三值SRAM电路 文字运算 CNFET 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16157/j.issn.0258-7998.172984

馆 藏 号：203283046...