SOI NMOS侧壁晶体管总剂量辐射效应电流模型

作     者：许灵达 罗杰馨 陈静 何伟伟 吴伟 XU Lingda;LUO Jiexin;CHEN Jing;HE Weiwei;WU Wei

作者机构：上海大学理学院上海200444 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61404151) 国家自然科学基金资助项目(61574153) 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2018年第38卷第1期

页      码：70-74页

摘      要：针对绝缘体上硅(SOI)NMOS侧壁晶体管的电流特性研究,利用Verilog-A语言建立了一个含有漏致势垒降低(DIBL)效应的侧壁晶体管电流模型。进一步基于SOI NMOS总剂量辐射效应机理将总剂量辐射效应引入该模型。新建立的侧壁晶体管电流模型既保留了侧壁晶体管本身的电流特性,又可以反映总剂量辐射导致的电流变化。将新的侧壁晶体管总剂量模型嵌入商用SOI模型仿真验证的结果表明,该SOI侧壁晶体管总剂量模型在不同漏端偏置电压下的仿真与测试结果高度吻合,可以给电路设计者提供可靠的仿真结果,缩短抗辐射电路开发周期。

主 题 词：绝缘体上硅 侧壁晶体管 Verilog-A 总剂量效应 电流模型 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.19623/j.cnki.rpsse.2018.01.014

馆 藏 号：203284574...