X波段GaN基小相位移相器设计

作     者：刘辉 孙朋朋 张宗敬 罗卫军 Liu Hui1,2, Sun Pengpeng1,2, Zhang Zongjing3, Luo Weijun1,2

作者机构：中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院大学北京100049 西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院西安710071 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2018年第43卷第4期

页      码：255-259页

摘      要：基于0.25μm GaN HEMT工艺,设计并制作了X波段11.25°和22.5°的小相位移相器单片微波集成电路（MMIC）,两个移相器单元均采用低通开关滤波型拓扑结构。最终芯片面积分别为0.9 mm×1.05 mm和0.95 mm×1.05 mm。芯片测试结果表明,两个小相位移相器性能良好,且测试结果与仿真结果吻合。在8~12 GHz频带内,11.25°和22.5°移相器电路的相移精度小于2.8°,输入回波损耗分别优于-15和-12 dB,插入损耗值分别小于1和1.5 dB,幅度波动分别小于0.8和1.3 dB。两个移相器电路的1 dB压缩点输入功率均大于36 dBm,其功率容限优于GaAs HEMT设计的移相器。结果表明,所设计的移相器具有优异的相移精度以及良好的功率性能,可广泛应用于高精度和大功率的雷达系统中。

主 题 词：移相器 低通开关滤波网络 GaN HEMT X波段 功率器件 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.04.003

馆 藏 号：203284644...