InP HBT/Si CMOS 13 GSps 1:16异构集成量化降速芯片

作     者：吴立枢 程伟 张有涛 王元 李晓鹏 陈堂胜 WU Lishu;CHENG Wei;ZHANG Youtao;WANG Yuan;LI Xiaopeng;CHEN Tangsheng

作者机构：南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2018年第38卷第1期

页      码：F0003-F0003页

摘      要：南京电子器件研究所通过外延层转移的方法在国内首次实现了InPHBT与Si MOSFET两种晶体管的单片异构集成，突破了InP HBT外延层转移、三维高密度异构互联、异构集成电路设计等关键技术，研制出13GSps 1：16异构集成量化降速芯片，如图1所示，共包含453个0．7μm InP HBT器件与1036个0．18μm Si MOSFET器件。

主 题 词：HBT器件 异构集成 InP Si CMOS 芯片 降速 量化 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.19623/j.cnki.rpsse.2018.01.017

馆 藏 号：203284646...