InGaAs/InP红外雪崩光电探测器的研究现状与进展

作     者：胡伟达 李庆 温洁 王文娟 陈效双 陆卫 HU Weida;LI Qing;WEN Jie;WANG Wenjuan;CHEN Xiaoshuang;LU Wei

作者机构：中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 

基　　金：国家杰出青年基金项目(61725505) 

出 版 物：《红外技术》 (Infrared Technology)

年 卷 期：2018年第40卷第3期

页      码：201-208页

摘      要：近年来,量子卫星通信、主动成像等先进技术的应用取得了较大的进展,InGaAs/InP雪崩光电探测器作为信息接收端的核心器件起到了至关重要的作用。本文系统介绍了InGaAs/InP雪崩光电探测器的工作原理,分析了器件结构设计对暗电流特性的影响,对盖格模式下多种单光子探测电路进行了综述,同时对新型金属-绝缘体-金属结构设计的研究进展进行了介绍和展望。

主 题 词：InGaAs/InP红外雪崩光电探测器 暗电流机制 单光子探测 表面等离共振效应 

学科分类：07[理学] 070202[070202] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

馆 藏 号：203284739...