高性能低功耗10 bit 100 MS/s SAR ADC

作     者：廉鹏飞 易波 吴斌 王晗 Lian Pengfei1,2 ,Yi Bo 1,Wu Bin2 ,Wang Han3

作者机构：中国科学技术大学物理学院安徽合肥230026 中国科学院微电子学院北京100049 北京中科睿微电子技术有限公司模拟射频部北京100049 

基　　金：国家发改委移动互联网及第四代移动通信(TD-LTE)产业化专项资助项目 

出 版 物：《华中科技大学学报（自然科学版）》 (Journal of Huazhong University of Science and Technology(Natural Science Edition))

年 卷 期：2018年第46卷第3期

页      码：1-6页

摘      要：设计了一种高性能低功耗的10 bit 100 MS/s逐次逼近寄存器（SAR）模数转换器（ADC）.基于优值（FOM）设计了一种数模转换器（DAC）单元电容确定法,从而实现了ADC性能和功耗之间的最优折中,得到了最小的后仿真优值为17.92 f J/步,以及与之对应的最优单元电容值1.59 f F.为了减小输入共模电压变化引起的信号敏感性失调,设计了改进的P型输入动态预放大锁存比较器,比较器采用共源共栅结构（cascode）作为P型预放大器的偏置,从而增加了预放大器的共模抑制比（CMRR）.模数转换器采用1层多晶硅8层金属（1P8M）55 nm互补型金属氧化物半导体（CMOS）工艺进行了流片验证,在1.3 V电压和100 MS/s采样率的环境下进行测试,信噪失真比（SNDR）的值为59.8 d B,功耗为1.67 mW,有效电路面积仅为0.016 2 mm^2.

主 题 词：高性能 低功耗 模数转换器 逐次逼近寄存器 优值(FOM) 动态预放大锁存比较器 

学科分类：080903[080903] 080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.13245/j.bust.180301

馆 藏 号：203284745...