高压IGBT芯片表面钝化工艺的研究与改进

作     者：李立 董少华 冷国庆 王耀华 金锐 LI Li;DONG Shaohua;LENG Guo-qing;WANG Yaohua;JIN Rui

作者机构：全球能源互联网研究院有限公司北京102211 

基　　金：国家电网科技基金项目(项目编号:SGRI-WD-71-15-005) 

出 版 物：《电子工艺技术》 (Electronics Process Technology)

年 卷 期：2018年第39卷第2期

页      码：66-70页

摘      要：高压功率半导体器件IGBT(绝缘栅双极晶体管)的表面钝化工艺是其芯片加工工艺的重要环节,其钝化层的质量直接影响IGBT器件的性能参数和长期可靠性。简要介绍了研究背景和功率半导体器件的钝化机理,确定了适用于高压IGBT的表面钝化方案,通过聚酰亚胺钝化层工艺开发最终实现了设计目标,生产出的IGBT器件通过了1 000 h的HTRB和H3TRB可靠性考核。

主 题 词：高压IGBT 钝化方案 钝化工艺 聚酰亚胺 可靠性 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.14176/j.issn.1001-3474.2018.02.002

馆 藏 号：203285357...