铜导体CFETR氦冷固态包层及屏蔽中子学设计与分析

作     者：赵奉超 冯开明 曹启祥 栗再新 张国书 ZHAO Feng-chao, FENG Kai-ming, CAO Qi-xiang, LI Zai-xin, ZHANG Guo-shu

作者机构：核工业西南物理研究院成都610041 

基　　金：国家磁约束核聚变能发展研究专项(2015GB108004) 

出 版 物：《核聚变与等离子体物理》 (Nuclear Fusion and Plasma Physics)

年 卷 期：2018年第38卷第1期

页      码：48-54页

摘      要：根据铜导体CFETR设计要求,对铜导体CFETR固态包层和屏蔽进行了中子学设计与分析,提出了套管结构的氦冷固态包层设计方案。包层设计和屏蔽分析结果表明,基于套管的氦冷固态包层的氚增殖比(TBR)达到了1.25,满足铜导体CFTER氚自持设计要求;环向场线圈绝缘层在堆寿期内不会出现显著的辐射感应电导率(RIC)与辐射引起的电气性能退化(RIED)效应。

主 题 词：铜导体CFETR 氦冷固态包层 中子学 MCNP程序 屏蔽分析 

学科分类：08[工学] 082701[082701] 0827[工学-食品科学与工程类] 

核心收录：

D　O　I：10.16568/j.0254-6086.201801008

馆 藏 号：203285361...