一种基于40nm CMOS工艺的新型温度补偿、高电源抑制比的带隙基准源

作     者：徐成阳 

作者机构：电子科技大学微电子与固体电子学院四川成都610054 

出 版 物：《电子产品世界》 (Electronic Engineering & Product World)

年 卷 期：2018年第25卷第4期

页      码：52-55页

摘      要：基于TSMC40LP工艺设计了一种新颖的温度补偿、高电源抑制比的带隙基准源。本设计采用全MOSFET设计,工作于1.1 V电源电压,通过将MOSFET偏置在零温度系数工作点,并结合温度补偿技术和有源衰减电路,实现在-40℃～125℃内温度变化系数为6.6 ppm/℃,低频下电源抑制比为93 dB,高频下电源抑制比为56 dB,与此同时,利用阻抗调试对环路稳定性进行了补偿。

主 题 词：带隙基准 全CMOS 低电源电压 曲率补偿 高电源抑制比 零温系数点 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-5517.2018.3.013

馆 藏 号：203287336...