重离子辐照带有ECC的65nm SRAM器件“伪多位翻转”特性研究

作     者：王斌 刘杰 刘天奇 习凯 叶兵 侯明东 孙友梅 殷亚楠 姬庆刚 赵培雄 李宗臻 WANG Bin;LIU Jie;LIU Tianqi;XI Kai;YE Bing;HOU Mingdong;SUN Youmei;YIN Yanan;JI Qinggang;ZHAO Peixiong;LI Zongzhen

作者机构：中国科学院近代物理研究所兰州730000 中国科学院大学北京100049 中国科学院微电子研究所北京100029 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(11690041 11675233) 

出 版 物：《原子核物理评论》 (Nuclear Physics Review)

年 卷 期：2018年第35卷第1期

页      码：66-71页

摘      要：为了提高纠错编码(ECC)的有效性,先进的静态随机存储器(SRAM)多采用位交错结构。但是,在没有物理版图信息的情况下,位交错设计使得从辐照测试数据中提取出多单元翻转(MCU)变得更加困难。运用Bi离子辐照带有ECC的65 nm SRAM器件,研究了该款器件在重离子辐照下的敏感性。为"伪多位翻转(FMBU)"以及MCU的数据分析提供了理论指导和帮助,完善了判别MCU的基本法则。除此之外,研究结果表明,ECC的汉明编码对于纳米器件的效果不够理想。在未来的空间应用中,需考虑更高层次的编码算法来抵抗单粒子翻转。

主 题 词：重离子辐照 静态随机存储器 错误检查和纠正 伪多位翻转 

学科分类：08[工学] 0827[工学-食品科学与工程类] 082701[082701] 

核心收录：

D　O　I：10.11804/NuclPhysRev.35.01.066

馆 藏 号：203287415...