基于标准CMOS工艺线性APD倍增区的优化仿真

作     者：鞠国豪 程正喜 陈永平 钟燕平 JU Guo-Hao;CHENG Zheng-Xi;CHEN Yong-Ping;ZHONG Yan-Ping

作者机构：中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院大学北京100049 上海科技大学信息科学与技术学院上海201210 

基　　金：中国科学院上海技术物理研究所重点培育方向性项目 

出 版 物：《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)

年 卷 期：2018年第37卷第2期

页      码：184-191,199页

摘      要：采用标准CMOS工艺制备的n^+-p-π-p^+结构的线性APD,其倍增区p层的掺杂分布极大地影响着器件的性能.采用Silvaco仿真软件对倍增区p层进行了设计仿真,研究了p层的注入剂量和注入峰值浓度深度对器件特性的影响.仿真结果表明,设定器件增益为50,在p层的最佳注入剂量为1.82×10^(12)/cm^2,峰值浓度深度为2.1μm左右的最佳工艺条件下,器件的工作电压为73.1 V,过剩噪声因子为4.59,过剩噪声指数在0.34~0.45之间(波长λ=800 nm),优于目前已报道的结果.通过工艺的优化,器件的性能可以得到进一步提高.

主 题 词：标准CMOS工艺 线性APD 掺杂分布 峰值浓度深度 仿真 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.11972/j.issn.1001-9014.2018.02.010

馆 藏 号：203287485...