InP基HEMTs器件16参数小信号模型（英文）

作     者：钟英辉 李凯凯 李梦珂 王文斌 孙树祥 李慧龙 丁鹏 金智 ZHONG Ying-Hui;LI Kai-Kai;LI Meng-Ke;WANG Wen-Bin;SUN Shu-Xiang;LI Hui-Long;DING Peng;JIN Zhi

作者机构：郑州大学物理工程学院河南郑州450001 中国科学院微电子研究所北京100029 

基　　金：Supported by National Natural Science Foundation of China(11775191,61404115,61434006) Development Fund for Outstanding Young Teachers in Zhengzhou University China(1521317004) 

出 版 物：《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)

年 卷 期：2018年第37卷第2期

页      码：163-167页

摘      要：针对InAlAs/InGaAsInP基HEMTs提出了一种16参数小信号拓扑结构.拓扑结构中引入栅源电阻(R_(gs))表征短栅沟间距引起的栅泄漏电流效应.另外还引入输出跨导(gds)和漏延迟(τ_(ds))描述漏端电压对沟道电流的影响以及漏源电容(C_(ds))引起的相位变化,从而提高了S_(22)参数拟合精度.外围寄生参数通过open和short拓扑结构计算得出,本征部分利用去除外围寄生参数后的Y参数计算得出,最终模型参数值经过优化以达到最佳拟合状态而确定.结果表明,s参数和频率特性的仿真值与测试数据拟合程度很好,R_(gs)和τ_(ds)的引入降低了模型误差.准确合适的InP基HEMTs小信号模型对于高频电路设计非常重要.

主 题 词：InP基高电子迁移率晶体管 小信号模型 栅泄漏电流 漏端延时 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.11972/j.issn.1001-9014.2018.02.006

馆 藏 号：203287680...