高灵敏度Sb基量子阱2DEG的霍尔器件（英文）

作     者：武利翻 苗瑞霞 商世广 WU Li-fan, MIAO Rui-xia, SHANG Shi-guang

作者机构：西安邮电大学电子工程学院陕西西安710121 

基　　金：Supported by National Natural Science Foundation of China(51302215) Scientific Research Program Funded by Shaanxi Provincial Education Department(17JK0698) The Science and Technology Project of Shaanxi Province(2016KRM029)~~ 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2018年第39卷第5期

页      码：687-691页

摘      要：用分子束外延技术将高灵敏度的In As/Al Sb量子阱结构的Hall器件赝配生长在Ga As衬底上。设计了由双δ掺杂构成的Hall器件的新结构,有效地提高了器件的面电子浓度。与传统的没有掺杂的In As/Al Sb量子阱结构的Hall器件相比,室温下器件电子迁移率从15 000 cm^2·V^(-1)·s^(-1)提高到16 000 cm^2·V^(-1)·s^(-1)。AFM测试表明材料有好的表面形态和结晶质量。从77 K到300 K对Hall器件进行霍尔测试,结果显示器件不同温度范围有不同散射机构。双δ掺杂结构形成高灵敏度、高二维电子气(2DEG)浓度的In As/Al Sb异质结Hall器件具有广阔的应用前景。

主 题 词：霍尔器件 量子阱 双δ掺杂 分子束外延 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0827[工学-食品科学与工程类] 080502[080502] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 1009[医学-法医学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/fgxb20183905.0687

馆 藏 号：203287694...