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具有e指数内建电场的透射式GaAs光电阴极响应特性的理论分析

具有e指数内建电场的透射式GaAs光电阴极响应特性的理论分析

作     者:蔡志鹏 姚军财 黄文登 何军锋 CAI Zhi-peng, YAO Jun-cai, HUANG Wen-deng, HE Jun-feng

作者机构:陕西理工大学物理与信息工程学院陕西汉中723001 

基  金:陕西省教育厅专项科研计划(16JK1132) 陕西理工大学科研基金(SLGQD14-07) 国家自然科学基金(61301237)资助项目 

出 版 物:《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期:2018年第39卷第5期

页      码:661-667页

摘      要:设计了具有e指数内建电场的透射式GaAs负电子亲和势阴极,利用数值计算方法研究了它的时间响应特性和量子效率特性。结果表明,当吸收区厚度L^0.2~1.5μm时,阴极的响应时间和量子效率均随L的增大而增大;尤其当L^1.1μm时响应时间达到10ps,量子效率达到12.5%~20%,迄今为止,与其他GaAs光电阴极相比,在相同光谱响应条件下,该响应速度是最高的。另外,在不同L下,获得了平均时间衰减常数τ 的函数分布和能够获得最短响应时间的最优系数因子β分布,为新型高速响应GaAs光电阴极的时间响应和量子效率优化提供了必要的理论基础和数据支持。

主 题 词:GaAs光电阴极 e指数内建电场 最优系数因子 时间响应 

学科分类:080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录:

D O I:10.3788/fgxb20183905.0661

馆 藏 号:203287790...

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