AlN晶体PVT生长装置的智能控制系统研究

作     者：覃佐燕 庄志贤 武红磊 郑瑞生 王科 QIN Zuo-yan;ZHUANG Zhi-xian;WU Hong-lei;ZHENG Rui-sheng;WANG Ke

作者机构：深圳大学光电工程学院光电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室深圳518060 深圳市统先科技股份有限公司深圳518000 

基　　金：国家自然科学基金(11447029) 深圳市科技计划项目(20160520174438578) 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2018年第47卷第4期

页      码：770-776页

摘      要：AlN晶体的物理气相传输(PVT)法生长条件要求苛刻,如0.3~5 atm的高纯氮气生长气氛和2100~2400℃的生长温度。结合AlN晶体PVT生长工艺的特点,通过可编程逻辑控制器(PLC)进行适用于氮化铝(AlN)晶体PVT生长装置的智能控制系统的研究。首先,提出了倒置温场的生长工艺以降低AlN晶体PVT生长的成核数量,并通过自动控制程序设计满足不同生长阶段的温场要求;其次,针对设备可能存在超温、超压及冷却水断流等实验安全问题,设计并实现系统的自动化报警及自处理操作;最后,在实验操作上,实现AlN晶体生长的"一键式"全自动化工作。

主 题 词：AlN PVT PLC 倒置温场 

学科分类：08[工学] 0835[0835] 0802[工学-机械学] 080201[080201] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-985X.2018.04.017

馆 藏 号：203287879...