RAM革命

作     者：Nick Stam 伍颖文 

出 版 物：《个人电脑》 (PC Magazine China)

年 卷 期：1995年第1卷第3期

页      码：3-3页

摘      要：昂贵内存的末日屈指可数。一系列开发中的新型芯片设计为我们带来了福音。得益于更好的内存设计和制造技术,二十年来动态随机存取存储器(DRAM)芯片的存储密度有显著的改进。单元密度每三年翻4倍,而每兆字成本则每年下跌近40%。

主 题 词：动态随机存取存储器 系列开发 二十年 制造技术 芯片设计 存储密度 内存 存储器设计 兆字 接口 

学科分类：0202[经济学-财政学类] 02[经济学] 020205[020205] 

馆 藏 号：203288028...