一种应用于基准的双向修调电路

作     者：蔡良伟 李文静 邓小莺 罗尧宇 CAI Liang-wei;LI Wen-jing;DENG Xiao-ying;LUO Rao-yu

作者机构：深圳大学信息工程学院广东深圳518000 深圳市国微电子有限公司广东深圳518000 

基　　金：深圳市科技计划基础研究项目 项目编号:JCYJ20160520174014465 

出 版 物：《电脑与电信》 (Computer & Telecommunication)

年 卷 期：2018年第3期

页      码：24-27,33页

摘      要：本文设计了一款双向修调电路,应用于高精度的LDO内部电压基准。突破常规的单向电阻修调方式,采用MOS开关控制的双向电阻实现双方向修调,能够很好地抵消生产工艺带来的正负偏差。基于0.35um CMOS工艺下,采用Cadence spectre进行后仿真,结果显示,修调前最差工艺角下的偏差高达-5%^+7%,在不增加额外功耗修调后的误差仅在±2%以内,性能显著。

主 题 词：带隙基准 双向修调 模拟电路 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.15966/j.cnki.dnydx.2018.03.009

馆 藏 号：203288946...