高速850 nm垂直腔面发射激光器的优化设计与外延生长

作     者：周广正 尧舜 于洪岩 吕朝晨 王青 周天宝 李颖 兰天 夏宇 郎陆广 程立文 董国亮 康联鸿 王智勇 chou Guang-Zheng1, Yao Shun1, Yu Hong-Yan1, Lu Zhao-Chen1, Wang Qing1,Zhou Tian-Bao2,Li Ying1.Lan Tian1, Xia Yu2, Lang Lu-Guang1 Cheng Li-Wen3,Dong Guo-Liang2, Kang Lian-Hong2, Wang Zhi-Yong1

作者机构：北京工业大学激光工程研究院北京100124 华芯半导体科技有限公司泰州225599 扬州大学物理科学与技术学院扬州225002 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2018年第67卷第10期

页      码：64-72页

摘      要：利用传输矩阵理论和TFCalc薄膜设计软件分析了分布布拉格反射镜和垂直腔面发射激光器(VCSEL)的反射率谱特性,对比了从谐振腔入射与从表面入射时反射率谱的差异,为白光反射谱表征VCSEL外延片提供了依据.利用Crosslight软件模拟了InGaAs/AlGaAs应变量子阱的增益谱随温度的变化特性及VCSEL器件内部温度分布,设计了增益-腔模调谐的VCSEL.采用金属有机物化学气相淀积设备外延生长了顶发射VCSEL,制作了氧化孔径为7.5μm的氧化限制型VCSEL器件,测试了器件的直流特性、光谱特性和眼图特性;6 mA,2.5 V偏置条件下输出光功率达5 mW,4级脉冲幅度调制传输速率达50 Gbit/s.

主 题 词：垂直腔面发射激光器 分布布拉格反射镜 量子阱 金属有机物化学气相淀积 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.67.20172550

馆 藏 号：203289388...