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采用芯片级封装的14 GHz~18 GHz双通道多功能芯片设计

采用芯片级封装的14 GHz~18 GHz双通道多功能芯片设计

作     者:谢卓恒 王阆 韦学强 赵恒 XIE Zhuoheng;WANG Lang;WEI Xueqiang;ZHAO Heng

作者机构:重庆西南集成电路设计有限责任公司重庆401332 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 

出 版 物:《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期:2018年第41卷第3期

页      码:554-559页

摘      要:论述了一种基于芯片级封装(WLCSP)的双通道多功能芯片电路设计技术和封装应用方案,采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺并基于有源矢量合成结构进行设计,测试结果表明该芯片增益大于12 d B,输出功率大于为7 d Bm,移相精度小于7°,通道隔离度大于28 d B,单通道功电流小于90 m A,该芯片可大幅降低相控阵系统成本和体积,为5 G通信、卫星通信等应用领域提供研制基础。

主 题 词:集成电路 芯片级封装 矢量合成 双通道 

学科分类:080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D O I:10.3969/j.issn.1005-9490.2018.03.002

馆 藏 号:203289537...

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