高效率包络跟踪功率放大器

作     者：袁芳标 曾大杰 宋贺伦 张耀辉 Yuan Fangbiao;Zeng Dajie;Song Helun;Zhang Yaohui

作者机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所江苏苏州215123 中国科学院大学北京100049 

基　　金：国家科技重大专项资助项目(2014ZX03003009) 国家自然科学基金资助项目(51377159) 江苏省科技计划资助项目(BK2011362) 苏州市科技计划资助项目(SYG201335) 中国科学院先导专项资助项目(XDA06010705) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2015年第40卷第7期

页      码：494-498页

摘      要：基于功率放大器(PA)效率提高技术,设计了一套包络跟踪(ET)功率放大器系统,射频(RF)功率放大器的漏极采用三电位G类结构的包络跟踪放大器提供自适应电压偏置,包络放大器包含两个自主设计的横向双扩散晶体管(LDMOS)开关管,RF功率放大器采用自主研发的LDMOS功率放大管进行优化匹配设计。在连续波(CW)信号激励下,28 V恒定电压下测得功率放大器在2.11 GHz下饱和输出功率为40 d Bm,饱和漏极效率为51%,输出功率回退8 d B时的漏极效率为22%,采用包络跟踪后提高至40%。在8 d B峰均比(PAR)WCDMA信号激励下,28 V恒定电压下测得功率放大器的平均效率为21%,采用包络跟踪后提高至35%。实验结果表明,采用自主设计的LDMOS开关管和LDMOS功率放大管应用到包络跟踪系统后,功率放大器的效率明显提高,验证了包络跟踪技术的优势和自主设计的LDMOS管芯的优越性。

主 题 词：包络跟踪 功率放大器(PA) 高效率 横向双扩散晶体管(LDMOS) 开关管 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 080902[080902] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.07.004

馆 藏 号：203289740...