扫描干涉场曝光中光栅掩模槽形轮廓的预测
作者机构：清华大学机械工程系摩擦学国家重点实验室北京100084 清华大学精密超精密制造装备及控制北京市重点实验室北京100084
出 版 物：《光学学报》 (Acta Optica Sinica)
年 卷 期：2018年第38卷第5期
页 码：28-34页
摘 要：根据扫描干涉场曝光的特点,针对光刻胶层内曝光量的驻波效应,建立了动态曝光模型。基于快速推进法建立了显影模型,得到了光栅掩模槽形的演变规律。为减弱驻波效应的影响,提出了一种抗反射层最优厚度的设计方法。仿真结果表明,建立的曝光和显影模型能有效预测光栅掩模的槽形轮廓,同时可优化抗反射膜的厚度。
主 题 词：光栅 扫描干涉场曝光 曝光模型 显影模型 快速推进法 驻波效应
学科分类：070207[070207] 07[理学] 08[工学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类]
核心收录：
D O I：10.3788/AOS201838.0505001
馆 藏 号：203289758...
