一种沟槽型场限环VDMOSFET终端结构

作     者：石存明 冯全源 SHI Cunming;FENG Quanyuan

作者机构：西南交通大学微电子研究所成都611756 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61271090 61531016) 四川省科技支撑计划项目(2015GZ0103) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2016年第46卷第1期

页      码：132-135页

摘      要：场限环结构以其简单的工艺和较高的效率,在垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构中得到广泛应用,但其性能的提高也有限制。沟槽型终端结构对刻蚀工艺要求较高,并未在实际生产中得到大量应用。将场限环终端结构与沟槽终端结构相结合,设计了一种沟槽型场限环终端,在149.7μm的有效终端长度上实现了708V的仿真击穿电压。此结构可以得到较大的结深,硅体内部高电场区距离表面较远,硅表面电场仅为1.83E5V/cm,具有较高的可靠性。同时,工艺中只增加了沟槽刻蚀和斜离子里注入,没有增加额外的掩膜。

主 题 词：场限环 沟槽终端 击穿电压 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.2016.01.029

馆 藏 号：203289988...