基于CMOS工艺的太赫兹探测器

作     者：管佳宁 徐雷钧 白雪 赵不贿 Guan Jianing;Xu Leijun;Bai Xue;Zhao Buhui

作者机构：江苏大学电气学院 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(51741704) 江苏省自然科学基金资助项目(BK20161352) 江苏省农业科技自主创新项目(CX(17)3001) 江苏省第十三批六大人才高峰高层次人才项目(DZXX-018) 江苏省普通高校研究生科研创新计划项目(KYLX16-0896) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2018年第43卷第6期

页      码：414-418页

摘      要：提出了一种新型多频太赫磁探测器电路结构,采用圆形、菱形以及环形天线嵌套式构成多频探测单元,四个探测器相互之间设计保护层包围隔离,防止外部电路对其影响。在高频结构仿真器（HFSS）下对设计的双环差分天线、单环差分天线、圆形开槽天线和菱形天线进行模型与特性参数仿真优化。基于TSMC CMOS 0.18μm工艺制备了多频太赫兹探测器芯片,该芯片能实现280,290,320,600和806 GHz多频段探测功能。测试结果表明,双环天线结构、圆形开槽天线结构、菱形天线结构和单环差分天线结构的探测器在阈值电压为0.42 V时,最佳响应度分别为366.6,1 286.6,366.3和701.2 V/W,最小噪声等效功率分别为0.578,0.211,0.594和0.261 nW√Hz。

主 题 词：互补金属氧化物半导体(CMOS) 太赫兹 探测器 多频 片上天线 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.06.002

馆 藏 号：203290816...