一种高频无源元件的EM建模分析技术

作     者：薛川 梁聪 张晓东 胡善文 高怀 Xue Chuan;Liang Cong;Zhang Xiaodong;Hu Shanwen;Gao Huai

作者机构：东南大学苏州研究院高频高功率器件与集成技术研究中心江苏苏州215123 东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心江苏南京210096 苏州工业园区教育投资发展有限公司 苏州英诺迅科技有限公司射频功率器件及电路技术中心江苏苏州215123 

出 版 物：《电子科技》 (Electronic Science and Technology)

年 卷 期：2011年第24卷第1期

页      码：59-64页

摘      要：采用电磁场（EM）建模的分析方法，提取了砷化镓衬底上MIM电容、方形螺旋电感和微带传输线的等效电路模型，并应用于一种π形匹配网络的设计，该模型充分考虑了衬底损耗、趋肤效应、接近效应等因素，对无源元件电特性的影响，基于GaAs半导体工艺进行了流片。测试结果表明，在0．1～40GHz频率范围内，采用EM技术提取的元件参数值有效地吻合了其测试值。采用EM等效电路模型设计的电路与传统模型设计的电路相比，更接近于流片后的实际结果，该方法不仅有效地提高了微波集成电路设计的准确度，而且缩短了设计周期、节省了设计成本。

主 题 词：砷化镓 无源元件 电磁仿真 等效电路模型 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1007-7820.2011.01.020

馆 藏 号：203294190...