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10Gb/s 0.18μm CMOS激光二极管驱动器芯片

10Gb/s 0.18μm CMOS激光二极管驱动器芯片

作     者:雷恺 冯军 王志功 

作者机构:东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 

出 版 物:《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期:2004年第27卷第3期

页      码:416-418页

摘      要:基于 0 .1 8μm CMOS工艺设计的 1 0 Gb/ s激光二极管驱动器电路。核心单元为两级直接耦合的差分放大器 ,电路中采用了并联峰化技术和放大级直接耦合技术以扩展带宽 ,降低功耗。模拟结果表明 ,在 1 .8V电源电压作用下该电路可工作在 1 0 Gb/ s速率上 ,输入单端峰峰值为 0 .3 V的差分信号时 ,在单端 5 0Ω负载上的输出电压摆幅可达到 1 .4V,电路功耗约为 85 m W。

主 题 词:激光驱动器 CMOS 直接耦合 

学科分类:08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录:

D O I:10.3969/j.issn.1005-9490.2004.03.010

馆 藏 号:203294195...

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