Power MOSFET栅电荷分析及结构改进

作     者：衡草飞 向军利 李肇基 张波 罗萍 

作者机构：电子科技大学IC设计中心成都610054 

出 版 物：《电子质量》 (Electronics Quality)

年 卷 期：2004年第9期

页      码：59-61,80页

摘      要：本文从驱动电路设计者的角度对MOS器件的输入电容和密勒电容进行了详细分析,并从器件基本原 理上,对决定栅电荷的寄生元件在不同的栅电压下对栅电荷的作用进行了系统的阐述。最后总结了当前国际 上为降低栅电荷提出的最新MOS器件结构。

主 题 词：MOS器件 MOSFET 驱动电路 元件 电容 电荷分析 电压 基本原理 降低 角度 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-0107.2004.09.026

馆 藏 号：203294203...