标准CMOS工艺新型多晶硅PIN-LED的设计与实现

作     者：张兴杰 张世林 韩磊 郭维廉 侯贺刚 毛陆虹 谢生 

作者机构：天津大学电子信息工程学院天津300072 

基　　金：国家自然科学重点基金(61036002)资助项目 

出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期：2013年第24卷第1期

页      码：6-10页

摘      要：采用联华电子公司(UMC)0.18μm标准CMOS工艺设计并制备了多晶硅PIN-LED,测试结果表明,i区宽为10μm器件的正向导通电压为1.5V,反向击穿电压为8.8V;当其工作在正向载流子注入模式时发射950～1 250nm波段的红外光,工作在反向雪崩击穿模式时发射650～1 000nm波段的可见光。实验结果表明,本文以多晶硅材料制备的PIN-LED与单晶硅材料制备的Si-LED具有类似的电学特性与光学特性。

主 题 词：多晶硅PIN—LED 标准CMOS工艺 发光 

学科分类：0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.16136/j.joel.2013.01.015

馆 藏 号：203294333...