嵌入式存储器内建自修复电路的一种改进设计

作     者：王丽 王友仁 施玉霞 Wang Li;Wang Youren;Shi Yuxia

作者机构：南京航空航天大学自动化学院南京210016 

基　　金：国家自然科学基金(60374008 90505013) 航空科学基金(20062D52044 04I52068)资助项目 

出 版 物：《高技术通讯》 (Chinese High Technology Letters)

年 卷 期：2008年第18卷第2期

页      码：162-166页

摘      要：研究了存储器内建自测试(MBIST)和存储器自修复(MBISR)技术,改进了基于一维冗余(冗余行块)结构的嵌入式存储器修复策略。首先将存储阵列和冗余阵列划分为多个行块,然后采用存储器自测试方法定位故障单元的行地址和行块地址,最后任何可利用的冗余块可以被用来修复故障单元。通过16×32比特静态随机存取存储器(SRAM)的电路自修复实验,验证了该修复策略的可行性和较高的故障修复率。与传统的基于一维冗余结构的修复策略相比,该修复策略提高了替代故障单元方法的灵活性和冗余资源利用率,从而提高了存储器的故障修复率。

主 题 词：行块 存储阵列 芯片电子系统 嵌入式存储器 自测试 自修复 

学科分类：0810[工学-土木类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.3772/j.issn.1002-0470.2008.02.011

馆 藏 号：203294368...