自发Raman散射过程中写激发率对光与原子纠缠源质量的影响

作     者：张浩毅 温亚飞 周湃 袁亮 徐忠孝 李淑静 王海 ZHANG Hao-yi;WEN Ya-fei;ZHOU XU Zhong-xiao;LI Shu-jing;Pai;YUAN Liang;WANG Hai

作者机构：山西大学光电研究所量子光学与光量子器件国家重点实验室山西太原030006 山西大学极端光学协同创新中心山西太原030006 

基　　金：国家重点研发计划(2016YFA0301402) 国家自然科学基金(11475109,11274211,11604191) 山西省“1331工程”重点学科建设计划经费资助 山西省应用基础研究计划(201601D202007) 

出 版 物：《量子光学学报》 (Journal of Quantum Optics)

年 卷 期：2018年第24卷第2期

页      码：141-146页

摘      要：在87Rb冷原子系综中，利用自发Raman散射过程，实现了光与原子的纠缠。测量了Bell参数S随着写激发率的变化关系，当写激发率增加时，Bell参数s逐渐下降。当写激发率约为1％时，测量了Bell参数S与自旋波存储时间的关系。实验测得Bell参数S会随着存储时间t的增大而减小，在t=80μs的时候S参数的测量值仍然大于2，证明产生的光与原子的纠缠可以保持80μs以上。本文的研究结果为产生高质量的光与原子量子纠缠提供了实验基础。

主 题 词：冷原子系综 自发拉曼散射 光与原子纠缠 

学科分类：070207[070207] 07[理学] 08[工学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.3788/JQ020182402.O104

馆 藏 号：203294527...