单片低噪声放大器的设计及其在数字T/R组件中的应用

作     者：陈兴国 李佩 刘同怀 黄鲁 CHEN Xing-guo;LI Pei;LIU Tong-huai;HUANG Lu

作者机构：中国科学技术大学安徽合肥230026 中国电子科技集团公司第三十八研究所安徽合肥230031 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2005年第35卷第3期

页      码：326-328页

摘      要：采用GaAsPHEMT工艺,研制了单片宽带低噪声放大器。着重探讨了单片低噪声放大器在相控阵雷达数字T/R组件中应用的特殊要求,电路的工作原理与设计方法,以及ADS软件的仿真和优化;给出了主要技术指标和测试结果。最后,介绍了单片低噪声放大器在数字T/R组件中的应用。

主 题 词：低噪声放大器 砷化镓 异质结高电子迁移率晶体管 T/R组件 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-3365.2005.03.028

馆 藏 号：203295221...