自旋轨道矩调控的垂直磁各向异性四态存储器结构

作     者：盛宇 张楠 王开友 马星桥 Sheng Yu;Zhang Nan;Wang Kai-You;Ma Xing-Qiao

作者机构：北京科技大学数理学院北京100083 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049 中国科学院拓扑量子计算卓越创新中心北京100049 

基　　金：国家科技支撑计划(批准号:2017YFA0303400) 国家自然科学基金(批准号:11174030 11474272 61774144) 中国科学院基金(批准号:QYZDY-SSW-JSC020 XDPB0603) 香港王宽诚教育基金资助的课题 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2018年第67卷第11期

页      码：206-211页

摘      要：利用氧化钽缓冲层对垂直各向异性钴铂多层膜磁性的影响,构想并验证了一种四态存储器单元.存储器器件包含两个区域,其中一区域的钴铂多层膜[Pt(3 nm)/Co(0.47 nm)/Pt(1.5 nm)]直接生长在热氧化硅衬底上,另一个区域在磁性膜和衬底之间沉积了一层氧化钽作为缓冲层[TaO x(0.3 nm)/Pt(3 nm)/Co(0.47 nm)/Pt(1.5 nm)],缓冲层导致两个区域的垂直磁各向异性不同.在固定的水平磁场下对器件施加与磁场同向的电流,由于电流引起的自旋轨道耦合力矩,两个区域的磁化取向均会发生翻转,且拥有不同的临界翻转电流.改变通过器件导电通道的电流脉冲形式,器件的磁化状态可以在4个态之间切换.本文器件的结构为设计自旋轨道矩存储器件提供了新的思路.

主 题 词：自旋电子学 自旋轨道耦合矩 四态存储器 

学科分类：07[理学] 070205[070205] 08[工学] 081201[081201] 0702[理学-物理学类] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.67.20180216

馆 藏 号：203295720...