高增益双层组合GaAs光电导开关设计与实验研究

作     者：施卫 王馨梅 侯磊 徐鸣 刘峥 Shi Wei;Wang Xin-Mei;Hou Lei;Xu Ming;Liu Zheng

作者机构：西安理工大学应用物理系西安710048 

基　　金：国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2007CB310406) 国家自然科学基金(批准号:50477011 50837005)资助的课题 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2008年第57卷第11期

页      码：7185-7189页

摘      要：设计制备了一种由双层半绝缘GaAs:EL2晶体组成的新型超快光电导功率开关.由于触发状态下双层GaAs晶体之间满足动态分压关系,使该开关在强电场偏置下触发时,双层GaAs晶体既能先后发生高增益过程,又能相互抑制对方进入锁定状态,开关输出为近似方波的双峰脉冲.因此,这种开关的工作方式既具有非线性模式特有的所需触发光能小、上升速度快等优点,又具有线性模式特有的重复工作频率高、使用寿命长等优点.偏压6500 V时用脉宽8 ns、能量3 mJ的1064 nm激光触发,输出电脉冲的上升沿为13.2 ns,下降沿为54.6 ns,脉宽为148.4 ns,第一个波峰高885 V,第二个波峰高897 V.随着外加偏置电压的提高,上升时间基本不变,脉宽和下降时间均略有减小,双峰峰值均明显增大.

主 题 词：光电半导体开关 高增益 锁定效应 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.57.7185

馆 藏 号：203295963...