基于负反馈和有源偏置的宽带低噪放设计

作     者：许石义 王潮儿 黄剑华 莫炯炯 王志宇 陈华 郁发新 XU Shi-yi,WANG Chao-er,HUANG Jian-hua,MO Jiong-jiong,WANG Zhi-yu,CHEN Hua,YU Fa-xin

作者机构：浙江大学航空航天学院浙江杭州310027 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61401395 61604128) 浙江省教育厅资助项目(Y201533913) 

出 版 物：《浙江大学学报（工学版）》 (Journal of Zhejiang University：Engineering Science)

年 卷 期：2018年第52卷第6期

页      码：1081-1087页

摘      要：提出一种基于改进型负反馈电路的宽带低噪声放大器.放大器芯片采用0.25μm GaAs pHEMT工艺设计和SiP技术封装.通过调节封装内芯片外围负反馈电路实现增益平坦度优化,将低噪放工作频带拓展至0.5~2.5GHz,可有效覆盖GSM、TD-SCDMA、WCDMA、GPS等多个应用频段.片内的稳压及温度补偿有源偏置电路可对供电电压波动及环境温度变化进行有效补偿,以适应复杂工作环境.经测试,低噪声放大器的供电电压为3.3V,功耗为40mW,工作频率为0.5~2.5GHz,带宽高达5个倍频程,带内增益约为14dB,增益平坦度≤1dB,噪声系数≤1.3dB,输入输出回波损耗≤-10dB,输入三阶交调点≥1dBm,封装后尺寸为3mm×3mm×1mm.

主 题 词：负反馈网络 宽带低噪放 有源偏置 SiP封装 

学科分类：0810[工学-土木类] 080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.3785/j.issn.1008-973X.2018.06.006

馆 藏 号：203296138...