0.25 μm CMOS新型过温保护电路的设计

作     者：葛兴杰 陆锋 GE Xingjie;LU Feng

作者机构：江南大学物联网工程学院江苏无锡214000 中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214072 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2018年第18卷第6期

页      码：22-25页

摘      要：采用CSMC 0.25μm工艺,设计了一种新型结构的过温保护电路,该电路利用正温系数电流电路和共源共栅电流镜产生一个高灵敏度的电压信号,通过CMOS施密特触发器产生控制信号控制芯片的通断,起到保护电路的作用。通过Spectre软件仿真验证,结果显示,在各个工艺角及电源电压波动的情况下,电路均能在芯片温度上升到165℃时关断,在芯片温度降到144℃时开启,迟滞值为21℃。

主 题 词：过温保护 新型结构 热关断 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16257/j.cnki.1681-1070.2018.0064

馆 藏 号：203296213...