3D MIM电容器原子层沉积可控生长及电学性能

作     者：穆继亮 徐方良 孙雅薇 李芬 丑修建 Mu Jiliang;Xu Fangliang;Sun Yawei;Li Fen;Chou Xiujian

作者机构：中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室太原030051 北方自动控制技术研究所太原030006 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61471326) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2018年第43卷第7期

页      码：517-522页

摘      要：为提高电容器的比电容,设计了基于三维（3D）结构的金属-绝缘体-金属（MIM）电容器。采用原子层沉积（ALD）技术制备电容器功能薄膜层,通过建立3D结构原子层沉积理论模型,拟合得到了原子层沉积过程中薄膜覆盖率与3D结构之间的依赖关系。基于该模型优化了工艺参数,制备了不同介质层厚度的电容器,并对器件进行了C-V和I-V特性测试,得到电容器击穿场强和介电常数均值分别为6.68 MV/cm和7.95。同时,制备的3D MIM电容器的比电容达到212.5 fF/μm2,相比常规平面电容器,其电容密度提高了一个数量级。且该电容器击穿场强和介电常数与薄膜厚度之间具有良好的线性关系,表明理论模型合理,实现了基于3D结构的原子层沉积薄膜可控生长。

主 题 词：原子层沉积(ALD) 三维结构 金属-绝缘体-金属(MIM)电容器 微电子机械系统(MEMS) 电学性能 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.07.006

馆 藏 号：203296718...