GaN HFET沟道中的强场峰和场效应管能带

作     者：薛舫时 孔月婵 XUE Fangshi;KONG Yuechan

作者机构：微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61474101 61504125 61505181) 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2015AA016802 2015AA033305) 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2018年第38卷第3期

页      码：157-167,177页

摘      要：引入新的解析函数来描绘GaN HFET沟道中的电势、电场强度和电场梯度。自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程计算了沟道强场峰中的场效应管能带。研究了不同栅、漏电压下的场效应管能带,计算出强场峰中的局域电子气势垒。详细计算了强场峰中的电场峰、能带谷、能带峰和局域电子气势垒随栅、漏电压的变化曲线。研究了高漏压下场效应管射频工作性能的退化和沟道开关时电场梯度与沟道电子状态间的相互作用。由此证明漏压决定了沟道中的电场梯度,栅压控制了沟道电子的状态,两者之间的相互作用描绘出一幅复杂的场效应管能带图像。通过EL谱和可靠性测试中的退化率直接观察强场峰内的局域电子气。最后讨论了这一场效应管能带理论在优化设计器件结构中的重要作用。

主 题 词：场效应管能带 局域电子气势垒 电场梯度与电子状态的相互作用 漂移电子气 局域电子气 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.19623/j.cnki.rpsse.2018.03.001

馆 藏 号：203298684...