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高速高饱和InGaAs/InP单行载流子光电二极管

高速高饱和InGaAs/InP单行载流子光电二极管

作     者:夏力臣 高新江 

作者机构:电子科技大学光电信息学院四川成都610054 重庆光电技术研究所重庆400060 

出 版 物:《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期:2004年第25卷第3期

页      码:169-173页

摘      要: InGaAs/InP单行载流子光电二极管(UTC PD)是近年来研发的一种新型光电器件。UTC PD是一种由p型中性光吸收层和n型宽带隙集结层构成,并且只用电子作为有源载流子的光电二极管。详细地介绍了UTC PD的工作原理、结构设计、制作工艺及典型应用。

主 题 词:光纤通信 光电二极管 高饱和输出 3 dB带宽 空间电荷效应 响应度 

学科分类:0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录:

D O I:10.3969/j.issn.1001-5868.2004.03.002

馆 藏 号:203300576...

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