Flash存储器抗60Co γ射线总剂量能力的分析

作     者：刘远飞 刘海涛 李鹏程 Liu Yuanfei;Liu Haitao;Li Pengcheng

作者机构：北京遥测技术研究所 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2018年第43卷第6期

页      码：468-472页

摘      要：为了比对分析多家厂商生产的NAND型Flash存储器的抗辐照能力和数据保持能力,选择了3种规格（代号为A,B和C）的商业级Flash存储器作为研究对象,设计了故障测试算法,研究了3种Flash存储器的抗^60Coγ射线总剂量的能力。首先研究了存储器经常出现的各种故障模型,并设计了相应的故障测试算法;其次搭建了以数字信号处理器（DSP）为核心的硬件测试电路;最后以^60Coγ射线作为器件的辐照源,利用设计好的故障测试算法对辐照环境下的Flash存储器在总剂量值每增加10 krad（Si）后进行一次故障检测。结果显示,B和C器件在总剂量值达到20 krad（Si）时开始出现故障,40 krad（Si）时出现数据的0→1翻转,70 krad（Si）时翻转率高于2%;A器件在40 krad（Si）时开始出现故障,70 krad（Si）时出现0→1翻转,翻转率为0.6%。从抗辐照能力和数据保持能力两个角度观察认为,商业级的A器件要优于B和C器件。

主 题 词：Flash存储器 总剂量 故障分析 数据保持性能 抗辐照能力 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.06.011

馆 藏 号：203300665...