三指发射极InGaP/GaAs HBT的研制

作     者：杨威 刘训春 朱旻 王润梅 申华军 Yang Wei;Liu Xunchun;Zhu Min;Wang Runmei;Shen Huajun

作者机构：中国科学院微电子研究所北京100029 

基　　金：中国科学院知识创新工程资助项目(批准号:KGX2-101)~~ 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2006年第27卷第9期

页      码：1604-1607页

摘      要：异质结双极型晶体管(HBT)是MMIC领域中最具有竞争力的三端器件之一.本文提出了一种三指发射极HBT的设计.通过与同一版上两指发射极HBT比较,证实了该设计的工艺宽容度高、可靠性和一致性好、成品率高,并且仍然具有两指发射极HBT良好的击穿、直流和高频特性.

主 题 词：异质结双极型晶体管 三指发射极 自对准 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2006.09.018

馆 藏 号：203301334...