改进定标曝光场的对准精度

作     者：SatoshiNakajima MakotoTanigawa AkiraIshihama KeizoSakiyama 郭健 

出 版 物：《电子工业专用设备》 (Equipment for Electronic Products Manufacturing)

年 卷 期：1999年第28卷第4期

页      码：51-56页

摘      要：随着设计尺寸的缩小,改进曝光场内套准精度变得十分重要。通过跟踪研究每个工艺步骤(即隔离层蚀刻和多晶硅淀积),发现硅局部氧化(LOCOS) 工艺对曝光场放大有相当大的影响。对400 ～1 000 nm 范围的LOCOS 氧化厚度,曝光场放大率约为3-8 ～4-2 ×10 - 6 。在这一厚度范围,放大率与氧化厚度成正比。在20 m m 边长的曝光场,放大值(4 ×10- 6) 等于0-08 μm 。曝光场四角处的套准精度等于0-04 μm 。对0-25 μm设计尺寸,0-04 μm 的套准误差是不可忽略的。为改进由于LOCOS氧化工艺导致场放大的套准精度,研究隔离层缩小投影倍率表明,投影倍率缩小3 ×10 - 6 ,套准精度提高0-065μm ,如同3σ值一样,套准精度提高到未缩小投影倍率时的0-5

主 题 词：套准 对准精度 定标 曝光场 半导体 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203303209...