无定形硅薄膜晶体管有源矩阵寻址液晶显示器

作     者：李辉 

出 版 物：《液晶与显示》 (Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays)

年 卷 期：1990年第10卷第4期

页      码：56-61页

摘      要：晶体管特性取决于材料纯度和界面性质。讨论了顶部钝化的氮化物对场效应迁移率(μ_(FE))和阈值电压的影响。获得场效应迁移率为1.0cm^2V^(-1)S^(-1)。由栅和源之间脉冲电压作用引起的液晶显示器(LCD)工作期间阈值电压的偏移,可以通过累加根据脉冲顺序而依次产生的每个阈值电压偏移值计算出。已制备出的样品在50℃下估计寿命为10年,这对于的实际应用是令人十分满意的。本文报导了无定形硅薄膜晶体管液晶显示LCD(a-Si TFT-LCD)技术的最新进展。我们已设计出用于电视的对角线为6.5英寸的显示屏,用于高分辨率飞机座舱显示器的3.2英寸信息显示屏,用于计算机终端的14.3英寸大屏幕显示器。分别讨论了这些技术。

主 题 词：薄膜晶体管 无定形硅 液晶显示器 阈值电压 有源矩阵 场效应 大屏幕显示器 计算机终端 界面性质 界面态密度 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203303467...