用于OEIC的InP MISFET的研制

作     者：陈朝 傅仁武 陈松岩 刘宝林 S.A.Malyshev CHEN Chao;FU Re-wu;CHEN Song-yan;LIU Bao-lin;S. A. Malyshev

作者机构：厦门大学物理系 Instituteof ElectronicsBelarus Academy of SciencesBelarusMinsk220090 

基　　金：国家自然科学基金资助项目!(69486004) 福建省自然科学基金资助项目!(F97003) 

出 版 物：《功能材料与器件学报》 (Journal of Functional Materials and Devices)

年 卷 期：2000年第6卷第3期

页      码：297-300页

摘      要：用MOCVD方法生长了n＋－InP/n－InP/SI－InP材料，以HfO2为介质膜，用电子束蒸发和选择化学腐蚀研制成栅宽0.002mm、栅长为0.2mm的具有蘑菇状栅极结构的InPMISFET。直流特性测量表明，跨导gm=80－115ms/mm，开启电压VT－3.62V，沟道的有效电子迁移率ueff=674cm2/V·S，界面态密度NSS=9.56×1011cm－2。设计计算的特征频率fT97.1GHz，最高特征频率fmax64.7GHz，尚未发现器件性能的漂移现象。本器件可作为InP基的单片光电子集成器件(OEIC)的放大部分。

主 题 词：磷化铟 绝缘栅场效应管 光电集成 研制 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.042

馆 藏 号：203304084...