基于条件技术的静态内模抗饱和控制系统的设计

作     者：李钟慎 莫小琴 Li Zhongshen;Mo Xiaoqin

作者机构：华侨大学机电及自动化学院福建厦门361021 

基　　金：福建省自然科学基金资助项目(2011J01350)资助 

出 版 物：《电子测试》 (Electronic Test)

年 卷 期：2013年第24卷第9期

页      码：18-20,14页

摘      要：本文介绍了静态内模抗饱和结构,通过仿真分析得出静态内模抗饱和结构作为内模控制结构的一种改进,对于存在饱和执行器的系统具有调节优势,但存在随着静态增益K值的增大,系统响应速度变慢的缺点。本文提出采用条件技术设计静态内模抗饱和控制器,给出了控制器的设计方法,通过对比仿真说明采用条件技术的静态内模抗饱和结构相对于静态内模抗饱和结构具有较快的响应速度,且响应速度不会随静态增益K值增大而变慢。

主 题 词：静态内模 抗饱和 条件技术 静态增益 响应速度 

学科分类：08[工学] 0802[工学-机械学] 0835[0835] 080201[080201] 

馆 藏 号：203304261...