K波段高效率GaAs收发一体多功能芯片

作     者：韩芹 刘会东 刘如青 曾志 魏洪涛 HAN Qin;LIU Huidong;LIU Ruqing;ZENG Zhi;WEI Hongtao

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所河北石家庄050051 

出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)

年 卷 期：2018年第37卷第7期

页      码：40-45页

摘      要：研制了一款K波段(23~25 GHz)收发一体化多功能芯片。该芯片集成了单刀双掷开关(SPDT)、接收支路低噪声放大器和发射支路高效率功率放大器。为兼顾低噪声和高效率功率特性,对电路的拓扑结构进行了优化选择和设计。在器件特征工作频点,采用开关模型、噪声模型和非线性大信号模型进行联合仿真设计。测试结果表明,该收发一体多功能芯片在23~25 GHz范围内,接收支路增益23 d B、噪声系数2.5 d B,工作电流仅为12 m A;发射支路增益为30 d B,1 d B压缩点输出功率为18.7 d Bm,功率附加效率达到30%,动态电流仅为70 m A。芯片尺寸小,仅为3.5 mm×2.5 mm。

主 题 词：GaAs 多功能芯片 K波段 单片集成电路 噪声 效率 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.07.007

馆 藏 号：203304576...