基于GaN器件的L波段固态功放研制

作     者：王晓会 WANG Xiaohui

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所河北石家庄050051 

出 版 物：《电子科技》 (Electronic Science and Technology)

年 卷 期：2018年第31卷第7期

页      码：31-33,37页

摘      要：文中基于第三代半导体GaN功率器件的特点,研制了L波段一体化星载固态功率放大器。通过对承受高功率的多层结构宽边耦合器的仿真,设计了小型化、大功率合成器,将两只80 W内匹配GaN功率器件进行功率合成,经过ALC电路设计,确保了固态功放输出功率的稳定性。实测结果表明,在L波段(f0±40 MHz),固态功放的输出功率达到137 W(51.37 d Bm),功率增益74.7 dB,功率效率48.5%,杂散抑制63 dBc,-25~60℃内,输出功率波动小于0.2dB;热仿真结果显示,在60℃环境下,GaN器件结温为136.98℃。经过了壳温70℃的加速寿命试验,试验时间超过5000小时,固放工作正常。

主 题 词：GaN器件 L波段 输出功率 固态功率放大器 结温 寿命试验 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2018.07.009

馆 藏 号：203304690...