NAND闪存编程干扰错误研究

作     者：阳小珊 朱立谷 张猛 张伟 YANG Xiao-shan;ZHU Li-gu;ZHANG Meng;ZHANG Wei

作者机构：中国传媒大学理工学部计算机学院北京100024 中国电子科技集团公司第十五研究所国家电子计算机质量监督检验中心北京100083 华中科技大学武汉光电国家实验室湖北武汉430074 中国大唐集团科学技术研究院有限公司北京100040 

基　　金：存储产业技术创新战略联盟共研项目(LM201701B05) 

出 版 物：《中国传媒大学学报（自然科学版）》 (Journal of Communication University of China：Science and Technology)

年 卷 期：2018年第25卷第3期

页      码：23-27,17页

摘      要：编程干扰错误是3D-TLC NAND闪存的主要错误之一,了解3D-TLC NAND闪存编程干扰错误模式是设计可靠方案的前提和基础。以实际的FPGA测试平台为基础对3D-TLC NAND闪存的编程干扰错误的出错模式进行了测试研究,分析发现:3D-TLC NAND闪存的编程干扰错误会使单元状态转移比例具有不平衡的关系;MSB页、CSB页和LSB页具有不平衡的比特错误比例和比特错误率分布。这些测试发现为设计可靠的方案提供了重要技术参考信息。

主 题 词：NAND闪存 3D-TLC 编程干扰错误 编程干扰错误率 

学科分类：08[工学] 081202[081202] 0812[工学-测绘类] 

D　O　I：10.16196/j.cnki.issn.1673-4793.2018.03.003

馆 藏 号：203304792...