PECVD工艺对SiO_xN_y光学薄膜红外吸收特性的影响

作     者：李松晓 杭凌侠 LI Songxiao;HANG lingxia

作者机构：西安工业大学陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室西安710021 

出 版 物：《西安工业大学学报》 (Journal of Xi’an Technological University)

年 卷 期：2018年第38卷第3期

页      码：257-261页

摘      要：为了研究SiO_xN_y光学薄膜在红外区的应用特性.文中采用PECVD技术沉积折射率为1.60的SiO_xN_y光学薄膜,设计制造了相同制备工艺参数(功率、温度、压强)的不同薄膜厚度样片和不同制备工艺参数的相同厚度的两类实验样片,通过对SiO_xN_y薄膜的红外透过率进行测试,分析该薄膜的红外光谱特性.实验结果表明,SiOxNy光学薄膜在红外区(8~12μm)的红外窗口内有明显的吸收峰存在,在制造工艺参数不变时,薄膜吸收峰值大小随着厚度的增加而增大,波长变化范围为9~11.5μm;不同的SiO_xN_y薄膜制备工艺参数对该薄膜吸收峰的峰值大小和位置的影响不同,主要波长变化范围为10~11.5μm.

主 题 词：光学薄膜 SiOxNy 红外吸收特性 PECVD技术 

学科分类：08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 

D　O　I：10.16185/j.jxatu.edu.cn.2018.03.012

馆 藏 号：203304902...