一类自突触作用下神经元电路的设计和模拟

作     者：任国栋 武刚 马军 陈旸 Ren Guo-Dong;Wu Gang;Ma Jun;Chen Yang

作者机构：兰州理工大学物理系兰州730050 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:11265008 11372122)资助的课题~~ 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2015年第64卷第5期

页      码：384-392页

摘      要：神经元在自突触作用下可以诱发各类放电活动的迁移,神经元动作电位对电自突触的响应比较敏感.通常用包含延迟因子和增益的反馈回路电流来刻画自突触对神经元动作电位的影响.基于Pspice软件,设计了包含自突触效应的神经元电路,用以延迟反馈电路来模拟电自突触对电位的调制作用.研究结果发现:1)在外界刺激和电自突触回路协同作用下,神经元电路输出信号可以呈现静息态,尖峰放电,簇放电状态.2)在时变增大的外界刺激下和自突触回路驱动下,神经元电路的输出电位序列在多种电活动模式之间(静息,尖峰放电,簇放电)交替出现,其机理在于自突触回路具有记忆特性,神经元对于不同的外界刺激可以做出不同模式的响应.3)在给定比较大外界刺激下,改变反馈回路的增益,发现电路输出的序列也可以呈现不同模式交替,即神经元对于相同的刺激可以通过自我调节自突触增益来产生不同模式的响应,其机理可能在于回路的有效反馈,这有助于理解突触的可塑性.

主 题 词：自突触 神经元电路 尖峰放电 簇放电 

学科分类：080804[080804] 080805[080805] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0704[理学-天文学类] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.64.058702

馆 藏 号：203305016...