紫外焦平面探测器读出电路抗辐照加固设计

作     者：马丁 乔辉 刘福浩 张燕 李向阳 MA Ding;QIAO Hui;LIU Fuhao;ZHANG Yan;LI Xiangyang

作者机构：中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院大学研究生院北京215123 

基　　金：国家自然科学基金项目(61774162) 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2018年第39卷第4期

页      码：502-505,510页

摘      要：分析了MOS器件的辐照特性及辐照失效机理。基于Global Foundries 0.35μm CMOS工艺,设计了一款320×256抗辐照加固紫外焦平面读出电路。该电路数字部分MOS管采用环形栅和双环保护进行加固,并在读出电路表面交替生长了SiO2-Si3N4复合钝化层。对加固后的读出电路进行了γ辐照试验,并使用示波器实时监测读出电路的输出状态。对比加固前后的读出电路实时辐照状态表明,加固后的读出电路抗辐照性能得到了明显提高,其抗电离辐照总剂量由35krad(Si)提升至50krad(Si)。

主 题 词：紫外焦平面 读出电路 抗辐照 电离辐照 

学科分类：0808[工学-自动化类] 080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.16818/j.issn1001-5868.2018.04.011

馆 藏 号：203305048...