12 W高功率高可靠性915 nm半导体激光器设计与制作

作     者：仇伯仓 胡海 汪卫敏 刘文斌 白雪 QIU Bo-cang;MARTIN Hai HU;WANG Wei-min;LIU Wen-bin;BAI Xue

作者机构：深圳清华大学研究院广东深圳518057 深圳瑞波光电子有限公司广东深圳518055 广东省光机电一体化重点实验室广东深圳518057 

基　　金：国家高技术研究发展计划(863计划)(No.2015AA016901) 广东省引进创新科研团队项目(No.2011D040) 深圳市孔雀计划项目(No.KQTD201106)~~ 

出 版 物：《中国光学》 (Chinese Optics)

年 卷 期：2018年第11卷第4期

页      码：590-603页

摘      要：本文设计并制作了一种高效率、高可靠性的915 nm半导体激光器。半导体激光器是光纤激光器的关键部件,为了最大限度地提高器件的电光转换效率,在设计上采用双非对称大光腔波导结构,同时对量子阱结构、波导结构、掺杂以及器件结构进行了系统优化。器件模拟表明,在25℃环境温度下,器件的最高电光转换效率达到67%。采用金属有机气相沉积(MOCVD)法进行材料生长,随后制备了发光区域宽度为95μm、腔长为4.8 mm的激光芯片。测试表明,封装后器件的效率以及其它参数指标达到国际先进水平,在室温下阈值电流为1 A,斜率效率为1.18 W/A,最高电光转换效率达66.5%,输出功率12 W时,电光转换效率达到64.3%,测试结果与器件理论模拟高度吻合。经过约6 000 h的寿命加速测试,器件功率没有出现衰减,表明制作的高功率915 nm激光芯片具有很高的可靠性。

主 题 词：半导体激光器 电光转换效率 亮度 腔面灾变功率 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/CO.20181104.0590

馆 藏 号：203305072...